Время плато Миллера практически равно нулю (см. рисунок 3), а общие потери на переключение уменьшаются как минимум на 70 %.
Oct 19, 2022| Время плато Миллера практически равно нулю (см. рисунок 3), а общие потери на переключение уменьшаются как минимум на 70 %.
Как показано в таблице 1, при одинаковом RDS(ON) нитрид галлия имеет меньшую паразитную емкость, а Ciss и Crss составляют 1/12 и 1/23 от Si CoolMOS соответственно, что приводит к более высокой скорости переключения. В плече быстрого моста BTPPFC время перекрытия тока и напряжения уменьшается более чем на 88% (см. рисунок 2). Время плато Миллера практически равно нулю (см. рисунок 3), а общие потери переключения уменьшаются как минимум на 70%.
Coss InnoGaN меньше и имеет лучшую линейность (см. рисунок 4). Когда Vds низкое, Coss GaN намного меньше, чем у Si MOS, и в Si будет происходить процесс мутации наклона. Из формы сигнала системы видно, что потери на перекрытие при переключении GaN намного меньше, чем у Si MOS, а Dv/dt GaN в сегменте t2-t3 меньше, чем у Si MOS, поэтому Генерируемый электромагнитный шум также меньше.
